HalbleiterNeue Wafer revolutionieren das Stromtanken

Infineon stellte erstmals Siliziumkarbid-Wafer vor, die den Halbleitermarkt neu aufrollen. Villach wird die Siliziumkarbid-Hochburg.

Umwälzende Materialentwicklung in der Halbleitertechnologie: Siliziumkarbid löst Silizium bei Wafern ab © INFINEON/KK
 

Auf dem weitläufigen Infineon Campeon in Neubiberg im Süden Münchens ist nicht Produktion, sondern Konzernsteuerung, Forschung und Entwicklung angesagt. Nun hat man eine erlesene Journalistenrunde von Handelsblatt bis FAZ versammelt, um die jüngste Innovation vorzustellen. Nur mit Handschuhen darf sie angefasst werden. Vorsichtig wird die durchsichtige und zerbrechliche kleine Scheibe reihum gereicht. Man spürt, dass diese hauchdünne neue Generation von Wafern eine Kostbarkeit ist. „Bei der Herstellung der Power-Halbleiter wird dieser Wafer auch noch von 700 Mikrometer auf 50 Mikrometer geschliffen, dünner als ein Haar“, erklärt Peter Wawer die zarte Dimension von 50 Millionstel Meter. Statt der gewohnten Silizium-Scheibe halten wir einen Wafer aus Siliziumkarbid (SiC) in der Hand. „Die Wafer-Prozessierung wurde maßgeblich von den Villacher Kollegen entwickelt“, spricht der Präsident der Division Industrial Power Control den Kärntner Entwicklern das Verdienst zu für enorme Leistungs- und Kostenvorteile in den Anwendungen der neuen SIC-Power-Halbleiter.

Ladestation mit Hochleistung

Zum Beispiel senken SiC-Module von Infineon Größe und Gewicht von Hochleistungsladestationen, die die Ladezeit für E-Mobile verglichen mit anderen Schnellladelösungen halbieren. 400 Kilometer Reichweite für das E-Auto seien dank 800 Volt Vorspannung in rund 15 Minuten erreichbar. Eine andere Anwendung der SiC-Halbleiter sind signifikant kleinere und günstigere Solarumrichter für Photovoltaik-Anlagen. Bei Regelantrieben würde dank SiC der Energiebedarf signifikant sinken. „Mit Siliziumkarbid-Technologie lässt sich die Leistungsdichte weiter steigern, Systemkosten werden reduziert“, lobt Wawer den Technologiesprung, bei dem Infineon führend sei und somit zu effizienter und sauberer Energieerzeugung, -verteilung und -nutzung beitrage. Den globalen SiC-Power-Markt schätzt man bis 2025 mit jährlichen Wachstumsraten von 20 Prozent auf rund 1,5 Milliarden Euro.

Schlüsselrolle für Villach

Um den Markterfolg einzufahren, wird Infineon Technologies Austria mit dem Standort Villach die Schlüsselrolle spielen. 35 Millionen Euro investiert die Münchner Konzernmutter noch im Jahr 2017 im Villacher Werk in die Energiespar-Halbleiter-Produktion auf Basis der Siliziumkarbid-Technologie.
Villach wird damit zum globalen Halbleiter-Kompetenzzentrum mit zusätzlichen hoch qualifizierten Arbeitsplätzen in Forschung, Technologieentwicklung und Produktmanagement. Das Investment in Villach werde laut Wawer darüber hinaus im Infineon-Konzern in den nächsten zwei Jahren mehr als 100 zusätzliche Arbeitsplätze nach sich ziehen.

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